聚乙烯催化剂表面分形和多重分形特征

应用分形和多重分形理论研究了负载型聚乙烯催化剂(简称催化剂)表面形态。提出一种图片处理和计算过程更加完备的基于扫描电子显微镜照片的分形维数和多重分形谱计算程序,对4种催化剂进行分析计算。探讨了分形维数、多重分形谱相关参数与催化剂表面形态及与聚合活性的对应关系。实验结果表明,催化剂表面形态的复杂程度可以用表面分形维数来表征,聚合活性高的催化剂表面形态更加复杂,有更大的比表面积,对应的分形维数值也越大。催化剂表面分形维数的变化程度可以用多重分形谱来表征,聚合活性高的催化剂表面分形维数的跨度和分散程度更高。提出的分形维数和多重分形谱计算程序为催化剂的评定与设计提供了一种实用的手段。     

我国炼油石化产业应对石油短缺时代的科技对策思考

分析了我国石油消费的增长趋势和石油的增产潜力，指出持续增长的需求和相对稳定的产量使我国对国际石油的依存度越来越高。综合了国际能源机构、能源经济学家和石油地质学家对世界石油供应前景的预测结果，认为世界石油短缺的时代并不遥远。提出了我国炼油石化产业应对世界石油供应短缺时代的科技对策：（I）抓紧开发和完善充分利用石油资源生产运输燃料和石化原料技术；（2）开发用煤炭、石油焦、沥青制氢和炼油过程耦合的廉价氢源技术和用氢优化技术；（3）开发炼油石化过程节能降耗技术；（4）开发天然气及煤制油、甲醇制乙烯、丙烯技术；（5）开发利用生物质生产车用替代燃料、生物材料和生物化学品技术。     

一种新的基于SRAM的快速综合技术

对静态随机存储器(SRAM)全定制设计过程中的版图设计工作量大、重复性强的问题进行了分析,并在此基础上提出了一种新的应用于SRAM设计的快速综合技术。这种技术充分利用SRAM电路重复单元多的特点,在设计过程中尽可能把电路版图的硬件设计转换为使用软件来实现,节省了大量的版图设计和验证的时间,从而提高了工作效率。这种技术在龙芯Ⅱ号CPU的SRAM设计中得到了应用;芯片采用的是中芯国际0.18μm CM O S工艺。流片验证表明,该技术对于大容量的SRAM设计是较为准确而且有效的。     

等离子体刻蚀工艺控制模型分析

讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离子体刻蚀工艺中的应用.结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性.     

0.25μm GaAs基MHEMT器件

采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT),测得其跨导为522mS/mm,沟道电流密度达490mA/mm,截止频率为75GHz,比同样工艺条件下GaAs基InGaP/InGaAs PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.     

VLSI全定制版图分级LVS验证的研究

在VLSI芯片的全定制版图设计中，LVS验证日益复杂繁琐，本文系统介绍了用HERCULES实现LVS验证的原理、流程和配置文件，并讨论了如何用HERCULES高效率的实现分级LVS(Hierarchical LVS，简称HLVS)验证，这些技术和方法已经应用在成功流片的64位通用CPU全定制版图的设计中，提高了版图LVS验证的效率。     

磷酸酯类离子液体在燃油深度脱硫中的应用

研究了3种磷酸酯类离子液体,即1,3-二甲基咪唑磷酸二甲酯盐([MM im]DM P)、1-乙基-3-甲基咪唑磷酸二乙酯盐([EM im]DEP)和1-丁基-3-甲基咪唑磷酸二丁酯盐([BM im]DBP)的制备过程,考察了这3种磷酸酯类离子液体对模型油中3-甲基噻吩、苯并噻吩和二苯并噻吩的脱除效果及磷酸酯类离子液体的电化学再生方法。实验结果表明,这3种磷酸酯类离子液体的脱硫能力强弱顺序为:[EM im]DEP>[BM im]DBP[MM im]DM P;且对二苯并噻吩的脱除效果最好,对苯并噻吩的脱除效果次之,对3-甲基噻吩的脱除效果较差。以[EM im]DEP为萃取剂,油剂质量比为1∶1时,经5次萃取后,二苯并噻吩的脱除率可达到99.5%。利用电解法对[EM im]DEP进行了再生,在5~10V电压下电解10h,[EM im]DEP的脱硫率可以达到新鲜[EM im]DEP的90%以上。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。